Roma, 25 Giugno 2001
Ore 16:30
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Ibm: il transistor al silicio più veloce del mondo

Ibm annuncia di aver realizzato il più veloce transistor al silicio del mondo, che potrebbe servire a costruire, entro un paio d’anni, microprocessori cinque volte più rapidi dei più evoluti modelli attualmente in commercio. Il transistor, oltre che per la velocità e per la bassa energia utilizzata, è innovativo proprio per l’impiego del silicio, il materiale alla base dei semiconduttori. Si tratta, in particolare, di un composto di silicio e germanio, detto SiGe, che permette un più rapido passaggio di elettricità. (gar)